Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet ZXMN3F30FHTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Diodes ZXMN3F30FHTA

Наименование модели: ZXMN3F30FHTA

27 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 30 В, 4.6 А, 0.047 Ом, SOT-23, Surface Mount
ZXMN3F30FHTA
Diodes
4.89 ₽
Akcel
Весь мир
ZXMN3F30FHTA
Diodes
от 9.20 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
ZXMN3F30FHTA
Diodes
12 ₽
ЭИК
Россия
ZXMN3F30FHTA
Diodes
от 38 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN3F30FH 30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 30 RDS(on) () 0.047 @ VGS= 10V 0.065 @ VGS= 4.5V ID (A) 4.6 4.0
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low onresistance achievable with 4.5V gate drive.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 47 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 4.6 А
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 65 МОм
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 47 МОм
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 1.4 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet ZXMN3F30FHTA - Diodes MOSFET, N, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России