Datasheet ZXMN4A06GTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMN4A06GTA на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 146 ₽ 41 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 40 В, 7 А, 0.05 Ом, SOT-223, Surface Mount
AllElco Electronics Весь мир	ZXMN4A06GTA Diodes	от 12 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	ZXMN4A06GTA Diodes	от 36 ₽	Купить
Maybo Весь мир	ZXMN4A06GTA Diodes	74 ₽	Купить
ЭИК Россия	ZXMN4A06GTA Diodes	от 124 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN4A06G
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS= 40V; RDS(ON)= 0.05 DESCRIPTION
ID= 7A
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 50 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 7 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 50 МОм
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 3.9 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 3.9 Вт
• Pulse Current Idm: 22 А
• SMD Marking: ZXMN 4A06
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901