Datasheet ZXMN4A06K - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит
Наименование модели: ZXMN4A06K
![]() 25 предложений от 14 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans MOSFET N-CH 40V 10.9A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK | |||
ZXMN4A06K Diodes | 118 ₽ | ||
ZXMN4A06K Diodes | от 123 ₽ | ||
ZXMN4A06K Diodes | от 168 ₽ | ||
ZXMN4A06K Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK
Краткое содержание документа:
ZXMN4A06K 40V N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS= -40V; RDS(ON) = 0.05 ; ID = 10.9A
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 50 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: TO-252
- Код применяемости: GPSW
- Current Id Max: 10.9 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 10.5 мм
- Внешняя длина / высота: 2.55 мм
- Внешняя ширина: 6.8 мм
- Fall Time tf: 10.9 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 50 МОм
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 9.5 Вт
- Power Disspation Pd for 50mm sq PCB: 4.2 Вт
- Pulse Current Idm: 35.3 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 16 нс
- Rise Time: 3.8 нс
- SMD Marking: ZXMN 4A06
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5