Datasheet ZXMN6A08E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23-6 — Даташит

Купить ZXMN6A08E6 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.63 до 77 ₽ 37 предложений от 19 поставщиков Compliant Surface Mount 4.6 ns Tape & Reel 2.1 ns No SVHC SOT-23 6
T-electron Россия и страны СНГ	ZXMN6A08E6TA Diodes	26 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZXMN6A08E6TA Diodes	51 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	ZXMN6A08E6 Diodes	от 63 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	ZXMN6A08E6QTA Diodes	от 77 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A08E6
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS
60
RDS(on) ( )

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 100 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Pulse Current Idm: 4 А
• SMD Marking: 6A8
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть