Datasheet ZXMN6A09GTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMN6A09GTA на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 182 ₽ 38 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 60 В, 6.9 А, 0.045 Ом, SOT-223, Surface Mount
AllElco Electronics Весь мир	ZXMN6A09GTA Diodes	от 18 ₽	Купить
Триема Россия	ZXMN6A09GTA-VB	142 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZXMN6A09GTA Diodes	от 182 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZXMN6A09GTA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A09G
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS= 60V; RDS(ON)= 0.045 DESCRIPTION
ID= 5.1A
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 45 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 7.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 45 МОм
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 30.6 А
• SMD Marking: ZXMN6A09
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901