Datasheet ZXMN6A11G - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMN6A11G на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 2 480 ₽ 17 предложений от 9 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN
Akcel Весь мир	ZXMN6A11G Diodes	от 13 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMN6A11G Diodes	41 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZXMN6A11G Diodes	от 54 ₽	Купить
МосЧип Россия	ZXMN6A11G_06 Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A11G
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS= 60V; RDS(ON)= 0.14 DESCRIPTION
ID= 3.8A
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 140 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 4.4 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 140 МОм
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• SMD Marking: ZXMN6A11
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть