Datasheet ZXMN7A11G - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMN7A11G на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 2 471 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 70V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, SOT-223, 4-PIN
Utmel Весь мир	ZXMN7A11G Diodes	от 34 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMN7A11G Diodes	51 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	ZXMN7A11G Diodes	53 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	ZXMN7A11G Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN7A11G 70V N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
VDSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=3.8A
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 70 В
• On Resistance Rds(on): 130 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Код применяемости: SWLR
• Current Id Max: 3.8 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 70 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901