Datasheet ZXMP2120G4 - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT-223 — Даташит

Diodes ZXMP2120G4

Наименование модели: ZXMP2120G4

Купить ZXMP2120G4 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 304 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 200V 0.2A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
T-electron Россия и страны СНГ	ZXMP2120G4TA Diodes	41 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	ZXMP2120G4TA	по запросу
TradeElectronics Россия	ZXMP2120G4 Diodes	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	ZXMP2120G4TA Diodes	по запросу

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMP2120G4
200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS =-200V; RDS(ON) = 25 ; ID = 200mA
DESCRIPTION This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Applications benefiting from this device include a variety of telecom and general high voltage circuits. A SOT23-5 version is also available (ZXMP2120E5).
SOT223

Спецификации:

Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: 200 мА
Drain Source Voltage Vds: 200 В
On Resistance Rds(on): 25 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: -20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: SOT-223
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Код применяемости: DCDC
Current Id Max: -200 мА
Current Temperature: 25°C
External Depth: 7.3 мм
Внешняя длина / высота: 1.7 мм
Внешняя ширина: 6.7 мм
Full Power Rating Temperature: 25°C
Количество транзисторов: 1
Тип корпуса: SOT-223
Power Dissipation Pd: 2 Вт
Pulse Current Idm: 1 А
Ширина ленты: 12 мм
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: -3.5 В
Voltage Vds Typ: -200 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
Voltage Vgs th Max: -3.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7-6-10
LICEFA - V11-7
Roth Elektronik - RE901