Datasheet ZXMP2120G4 - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMP2120G4 на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 264 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
T-electron Россия и страны СНГ	ZXMP2120G4TA Diodes	46 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMP2120G4TA Diodes	55 ₽	Купить
Utmel Весь мир	ZXMP2120G4TA Diodes	от 258 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	ZXMP2120G4 Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMP2120G4
200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS =-200V; RDS(ON) = 25 ; ID = 200mA
DESCRIPTION This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Applications benefiting from this device include a variety of telecom and general high voltage circuits. A SOT23-5 version is also available (ZXMP2120E5).
SOT223

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 25 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Код применяемости: DCDC
• Current Id Max: -200 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 1 А
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3.5 В
• Voltage Vds Typ: -200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Max: -3.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901