Datasheet ZXMP4A16GTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMP4A16GTA на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 187 ₽ 35 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 6.4 А, 0.06 Ом, SOT-223, Surface Mount
ЧипСити Россия	ZXMP4A16GTA Diodes	54 ₽	Купить
Элитан Россия	ZXMP4A16GTA NXP	187 ₽	Купить
727GS Весь мир	ZXMP4A16GTA Diodes	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	ZXMP4A16GTA	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMP4A16G
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS = -40V: RDS(on) = 0.060 : ID = -6.4A
DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 60 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -6.4 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 60 МОм
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 3.9 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 3.9 Вт
• Pulse Current Idm: 21 А
• SMD Marking: ZXMP4A16
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds Typ: -40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть