Datasheet ZXMP4A16K - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, D-PAK — Даташит

Купить ZXMP4A16K на РадиоЛоцман.Цены — от 72 до 316 ₽ 17 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 40V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
EIS Components Весь мир	ZXMP4A16K_06 Zetex	72 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMP4A16K Diodes	108 ₽	Купить
Элитан Россия	ZXMP4A16K Diodes	116 ₽	Купить
Utmel Весь мир	ZXMP4A16K Diodes	от 316 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMP4A16K 40V P-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS= -40V; RDS(ON)= 0.060 ID= -9.9A
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 60 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: TO-252
• Current Id Max: -9.9 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 10.5 мм
• Внешняя длина / высота: 2.55 мм
• Внешняя ширина: 6.8 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 9.5 Вт
• Pulse Current Idm: 35 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds Typ: -40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5