Datasheet ZXMN2A03E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23-6 — Даташит

Купить ZXMN2A03E6 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.78 до 72 ₽ 43 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Компонентс Ру Россия	ZXMN2A03E6TA Diodes	от 57 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	ZXMN2A03E6_05 Zetex	66 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZXMN2A03E6TC Diodes	по запросу	Купить
727GS Весь мир	ZXMN2A03E6TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN2A03E6
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.055
D=4.5A
DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 55 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 55 МОм
• Тип корпуса: SOT-23-6
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
• Pulse Current Idm: 16 А
• SMD Marking: 2A3
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 700 мВ

RoHS: есть