Datasheet BSS123ATA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, SOT-23 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 4 ­ APRIL 1998 FEATURES * BVDSS = 100V * Low Threshold PARTMARKING DETAIL ­ SAA
BSS123A
S
D G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 170 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 170 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(D)
• Power Dissipation Pd: 360 мВт
• Pulse Current Idm: 680 мА
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В
• Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть