Datasheet BSS123ATA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, SOT-23 — Даташит

Купить BSS123ATA на РадиоЛоцман.Цены 9 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 / N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
T-electron Россия и страны СНГ	BSS123ATA Diodes	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	BSS123ATA Diodes	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	BSS123ATA Diodes	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSS123ATA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 4 ­ APRIL 1998 FEATURES * BVDSS = 100V * Low Threshold PARTMARKING DETAIL ­ SAA
BSS123A
S
D G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 170 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 170 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(D)
• Power Dissipation Pd: 360 мВт
• Pulse Current Idm: 680 мА
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В
• Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть