Datasheet ZXMN6A09K - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит

Diodes ZXMN6A09K

Наименование модели: ZXMN6A09K

Купить ZXMN6A09K на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 162 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Compliant 6.8 mm 4.6 ns No SVHC 45 mΩ 1 V SMD/SMT TO-252
Элитан Россия	ZXMN6A09K Diodes	162 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	ZXMN6A09K Zetex	по запросу
Океан Электроники Россия	ZXMN6A09K_07 Zetex	по запросу
Augswan Весь мир	ZXMN6A09K Diodes	по запросу

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A09K
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
SUMMARY V(BR)DSS =60V : RDS(on)=0.045 ; ID=11.2A DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.
FEATURES

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 7.3 А
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On Resistance Rds(on): 45 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Корпус транзистора: D-PAK
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Альтернативный тип корпуса: TO-252
Код применяемости: GPSW
Current Temperature: 25°C
External Depth: 10.5 мм
Внешняя длина / высота: 2.55 мм
Внешняя ширина: 6.8 мм
Fall Time tf: 14.5 нс
Full Power Rating Temperature: 25°C
Количество транзисторов: 1
On State Resistance Max: 45 МОм
Тип корпуса: DPAK
Power Disspation Pd for 50mm sq PCB: 4.3 Вт
Pulse Current Idm: 40 А
Reverse Recovery Time trr Typ: 25.6 нс
Rise Time: 4.6 нс
SMD Marking: ZXMN 6A09K
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
Voltage Vds Typ: 60 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
Fischer Elektronik - WLK 5