Datasheet ATF-501P8-BLK - Avago Technologies Даташит Транзистор, GAAS, HI-LIN — Даташит

Купить ATF-501P8-BLK на РадиоЛоцман.Цены — от 55 до 434 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков Транзистор JFET, Trans JFET 7V 1A pHEMT 8Pin LPCC Bag
ЗУМ-СМД Россия	ATF-501P8-BLK Broadcom	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	ATF-501P8-BLK	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	ATF-501P8-BLK Broadcom	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	ATF-501P8-BLK Broadcom	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Avago Technologies

Описание: Транзистор, GAAS, HI-LIN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ATF-501P8
High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic HEMT in 2x2 mm2 LPCC[3] Package
Data Sheet
Description
Avago Technologies's ATF-501P8 is a single-voltage high linearity, low noise E-pHEMT housed in an 8-lead JEDECstandard leadless plastic chip carrier (LPCC[3]) package.

The device is ideal as a medium-power amplifier. Its operating frequency range is from 400 MHz to 3.9 GHz. The thermally efficient package measures only 2mm x 2mm x 0.75mm. Its backside metalization provides excellent thermal dissipation as well as visual evidence of solder reflow. The device has a Point MTTF of over 300 years at a mounting temperature of +85єC. All devices are 100% RF & DC tested.

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 1 А
• Drain Source Voltage Vds: 7 В
• Voltage Vgs Max: 800 мВ
• Корпус транзистора: LPCC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Cont Current Id @ 25В°C: 1 А
• Current Id Max: 1 А
• Частота единичного усиления минимальная: 400 МГц
• Частота единичного усиления типовая: 2 ГГц
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: LPCC
• Pin Configuration: S(1), G(2), D(7), N/C(3+5+6+8)
• Power Dissipation Pd: 3.5 Вт
• SMD Marking: 0Px
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 330 мВ
• Voltage Vds Typ: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

ATF501P8BLK, ATF 501P8 BLK