Datasheet ZXMN2B03E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23-6 — Даташит

Купить ZXMN2B03E6 на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 77 ₽ 25 предложений от 15 поставщиков 20V SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET
T-electron Россия и страны СНГ	ZXMN2B03E6TA Diodes	29 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZXMN2B03E6TA Diodes	36 ₽	Купить
Контест Россия	ZXMN2B03E6TA Diodes	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	ZXMN2B03E6 Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN2B03E6 20V SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability
Summary
V(BR)DSS RDS(on) ( ) 0.040 @ VGS= 4.5V 20 0.055 @ VGS= 2.5V 0.075 @ VGS= 1.8V ID (A) 5.4 4.6 4.0
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features low onresistance achievable with low gate drive.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 40 МОм
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 1160 пФ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• N-channel Gate Charge: 14.5nC
• Тип корпуса: SOT-23
• Pin Configuration: G(3), D(1, 2, 5, 6), S(4)
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Pulse Current Idm: 26 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 10.8 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Время выключения: 33.9 нс
• Время включения: 4.2 нс
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds N Channel: 4.5 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1 В
• Voltage Vgs th Min: 0.4 В

RoHS: есть