Datasheet ZXMN6A25GTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMN6A25GTA на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 142 ₽ 23 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 6.7A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Элитан Россия	ZXMN6A25GTA	27 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	ZXMN6A25GTA Diodes	от 37 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	ZXMN6A25GTA Diodes	45 ₽	Купить
727GS Весь мир	ZXMN6A25GTA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A25G 60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 60 RDS(on) ( ) 0.050 @ VGS = 10V 0.070 @ VGS = 4.5V ID (A) 6.7 5.7
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
• Корпус транзистора: SOT-223
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 1063 пФ
• Continuous Drain Current Id: 6.7 А
• Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
• Pin Configuration: 1(G), 2(D), 3(S), TAB(D)
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 28.5 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть