Datasheet 2N7000 - Fairchild Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 200 мА, 60 В, TO-92 — Даташит
Наименование модели: 2N7000
![]() 78 предложений от 36 поставщиков Транзисторы (упаковка 10 шт) 2N7000 (MOSFET, 60V, 0.4А, TO-92) MCIGICM. Транзисторы 2N7000 (MOSFET, 60V, 0.4А, TO-92) - кремниевые, полевые МДП, тип... | |||
2N7000 Jiangsu Changjing | 1.92 ₽ | ||
2N7000 DC Components | 2.99 ₽ | ||
2N7000 | от 11 ₽ | ||
2N7000_07 Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 мА, 60 В, TO-92
Краткое содержание документа:
November 1995
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 5.3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 2.1 В
- Корпус транзистора: TO-92
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 200 мА
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: 2N7000
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 1.27 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-92
- Power Dissipation Pd: 400 мВт
- Pulse Current Idm: 500 мА
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fairchild - 2N7000_D26Z
- ON Semiconductor - 2N7000G