Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet 2N7000 - Fairchild Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 200 мА, 60 В, TO-92 — Даташит

Fairchild 2N7000

Наименование модели: 2N7000

82 предложений от 31 поставщиков
Транзисторы 2N7000 (MOSFET, 60V, 0.4А, TO-92) - кремниевые, полевые МДП, тип канала - n. Применяются в качестве электронных ключей.Корпус TO-92, с...
VN10LP (ST-2N7000)
STMicroelectronics
0.69 ₽
AliExpress
Весь мир
Новый 2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 2N4401 2N4403 2N5087 2N5088 2N5089 2N5401 2N5551 2N7000 TO-92
0.86 ₽
PL-1
Россия
2N7000 (2N7000G,VN2222)
от 4.30 ₽
Контест
Россия
2N7000
DC Components
7.16 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 мА, 60 В, TO-92

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
November 1995
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 200 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 5.3 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 2.1 В
  • Корпус транзистора: TO-92
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 200 мА
  • Current Temperature: 25°C
  • Маркировка: 2N7000
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Расстояние между выводами: 1.27 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TO-92
  • Power Dissipation Pd: 400 мВт
  • Pulse Current Idm: 500 мА
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
  • Voltage Vds Typ: 60 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fairchild - 2N7000_D26Z
  • ON Semiconductor - 2N7000G

На английском языке: Datasheet 2N7000 - Fairchild N CHANNEL MOSFET, 200 mA, 60 V, TO-92

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России