Datasheet 2N7000_D26Z - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-92 — Даташит

Купить 2N7000_D26Z на РадиоЛоцман.Цены — от 1.90 до 292 ₽ 84 предложений от 39 поставщиков Транзисторы (упаковка 10 шт) 2N7000 (MOSFET, 60V, 0.4А, TO-92) MCIGICM. Транзисторы 2N7000 (MOSFET, 60V, 0.4А, TO-92) - кремниевые, полевые МДП, тип...
Берёзка Электронные Компоненты Россия	2N7000 DC TO-92 DC Components	от 3.18 ₽	Купить
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ 2N7000 /КП501А/ STMicroelectronics	12 ₽	Купить
Триема Россия	2N7000 Fairchild	15 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	G2N7000	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
November 1995
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: TO-92
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 200 мА
• Тип корпуса: TO-92
• Power Dissipation Pd: 400 мВт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• STMicroelectronics - 2N7000