Datasheet FCD5N60TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, 650 В, D-PAK — Даташит

Купить FCD5N60TM на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 2 933 ₽ 40 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 4.6 А, 0.95 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
ChipWorker Весь мир	FCD5N60TM ON Semiconductor	42 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FCD5N60TM-WS ON Semiconductor	46 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	FCD5N60TM ON Semiconductor	от 56 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	FCD5N60TM ON Semiconductor	от 215 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, 650 В, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FCD5N60 / FCU5N60 600V N-Channel MOSFET
FCD5N60 / FCU5N60
600V N-Channel MOSFET
Features
· 650V @TJ = 150°C · Typ.

Rds(on)=0.81 · Ultra low gate charge (typ. Qg=16nC) · Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=32pF) · 100% avalanche tested

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 4.6 А
• Current Id Max: 4.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 950 МОм
• Pulse Current Idm: 13.8 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В
• Альтернативный тип корпуса: TO-252
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: D-PAK
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 54 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: DPAK
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)