Datasheet FDA59N30 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

Купить FDA59N30 на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 781 ₽ 56 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 300 В, 59 А, 0.047 Ом, TO-3P, Through Hole
AllElco Electronics Весь мир	FDA59N30 ON Semiconductor	от 46 ₽	Купить
Элрус Россия	FDA59N30 ON Semiconductor	от 552 ₽	Купить
Romstore Россия, Беларусь	FDA59N30	от 573 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FDA59N30 ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDA59N30 300V N-Channel MOSFET
UniFET
FDA59N30
300V N-Channel MOSFET Features
· 59A, 300V, RDS(on) = 0.056 @VGS = 10 V · Low gate charge ( typical 77 nC) · Low Crss ( typical 80 pF) · Fast switching · 100% avalanche tested · Improved dv/dt capability

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 59 А
• Drain Source Voltage Vds: 300 В
• On Resistance Rds(on): 56 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 59 А
• Тип корпуса: TO-3P
• Power Dissipation Pd: 500 Вт
• Pulse Current Idm: 236 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 300 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A