Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet FDB045AN08A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB — Даташит

Fairchild FDB045AN08A0

Наименование модели: FDB045AN08A0

38 предложений от 19 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 90А, 310Вт, D2PAK
FDB045AN08A0
Fujitsu-Siemens
43 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDB045AN08A0_SN00237
Fairchild
152 ₽
Элитан
Россия
FDB045AN08A0
ON Semiconductor
400 ₽
FDB045AN08A0_06
Fairchild
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDB045AN08A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET
May 2006
tm
FDB045AN08A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5m

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 80 А
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On Resistance Rds(on): 4.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Корпус транзистора: TO-263AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 80 А
  • Тип корпуса: TO-263AB
  • Power Dissipation Pd: 310 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 75 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet FDB045AN08A0 - Fairchild MOSFET, N, SMD, TO-263AB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России