Datasheet FDB13AN06A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB — Даташит

Купить FDB13AN06A0 на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 7 015 ₽ 37 предложений от 19 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 62А; 115Вт; D2PAK
Стандарт СИЗ Россия	FDB13AN06A0 Fujitsu-Siemens	36 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FDB13AN06A0 Freescale	77 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FDB13AN06A0 ON Semiconductor	132 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	FDB13AN06A0 ON Semiconductor	389 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0
July 2003
FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 62A, 13.5m
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 62 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 13.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 115 Вт
• Корпус транзистора: TO-263AB
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 62 А
• Тип корпуса: TO-263AB
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex