Datasheet FDB2532 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB — Даташит
Наименование модели: FDB2532
![]() 34 предложений от 20 поставщиков Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK | |||
FDB2532 ON Semiconductor | 343 ₽ | ||
FDB2532_F085 ON Semiconductor | от 483 ₽ | ||
FDB2532 ON Semiconductor | от 623 ₽ | ||
FDB2532 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263AB
Краткое содержание документа:
FDB2532 / FDP2532 / FDI2532
August 2002
FDB2532 / FDP2532 / FDI2532
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16m
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 33 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 14 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 310 Вт
- Корпус транзистора: TO-263AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 79 А
- Тип корпуса: TO-263AB
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 150 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex