Datasheet FDB2614 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263 — Даташит
Наименование модели: FDB2614
Купить FDB2614 на РадиоЛоцман.Цены — от 149 до 13 126 ₽ 33 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 62 А, 0.0229 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
FDB2614 ON Semiconductor | от 149 ₽ | ||
FDB2614 ON Semiconductor | 230 ₽ | ||
FDB2614 ON Semiconductor | 309 ₽ | ||
FDB2614 ON Semiconductor | от 507 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263
Краткое содержание документа:
FDB2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
November 2006
FDB2614
200V N-Channel PowerTrench MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 62 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 22.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 260 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 62 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5 В
RoHS: есть