Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet FDB2710 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263 — Даташит

Fairchild FDB2710

Наименование модели: FDB2710

29 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 250 В, 50 А, 0.0363 Ом, TO-263AB, Surface Mount
FDB2710
Fujitsu-Siemens
139 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDB2710-CUT TAPE
Fairchild
342 ₽
ChipWorker
Весь мир
FDB2710
ON Semiconductor
435 ₽
Utmel
Весь мир
FDB2710
ON Semiconductor
от 1 337 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDB2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
November 2006
FDB2710
250V N-Channel PowerTrench MOSFET
General Description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 50 А
  • Drain Source Voltage Vds: 250 В
  • On Resistance Rds(on): 36.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 260 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 2
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 50 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 250 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDB2710 - Fairchild MOSFET, N, SMD, TO-263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России