Источники питания KEEN SIDE

Datasheet FDB3632 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, TO-263AB — Даташит

Fairchild FDB3632

Наименование модели: FDB3632

49 предложений от 24 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
FDB3632
ON Semiconductor
от 280 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
FDB3632
ON Semiconductor
от 301 ₽
LifeElectronics
Россия
FDB3632
Fairchild
по запросу
FDB3632
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, TO-263AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632
December 2008
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9m
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 80 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 7.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 310 Вт
  • Корпус транзистора: TO-263AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 80 А
  • Тип корпуса: TO-263AB
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet FDB3632 - Fairchild MOSFET, N CH, 100 V, 80 A, TO-263AB

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка