Datasheet FDB3632 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, TO-263AB — Даташит
Наименование модели: FDB3632
![]() 39 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 80 А, 0.0075 Ом, TO-263AB, Surface Mount | |||
FDB3632 ON Semiconductor | 247 ₽ | ||
FDB3632 Fairchild | по запросу | ||
FDB3632_F101 Fairchild | по запросу | ||
FDB3632_Q Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, TO-263AB
Краткое содержание документа:
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632
December 2008
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9m
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 80 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 7.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 310 Вт
- Корпус транзистора: TO-263AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 80 А
- Тип корпуса: TO-263AB
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex