Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet FDB3632 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, TO-263AB — Даташит

Fairchild FDB3632

Наименование модели: FDB3632

28 предложений от 19 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 80 А, 0.0075 Ом, TO-263AB, Surface Mount
FDB3632
Fairchild
59 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDB3632
ON Semiconductor
96 ₽
Триема
Россия
FDB3632
222 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
FDB3632_NL
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 80 А, TO-263AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632
December 2008
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9m
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 80 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 7.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 310 Вт
  • Корпус транзистора: TO-263AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 80 А
  • Тип корпуса: TO-263AB
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet FDB3632 - Fairchild MOSFET, N CH, 100 V, 80 A, TO-263AB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России