Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet FDB3652 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH 61 А 100 В, TO236AB — Даташит

Fairchild FDB3652

Наименование модели: FDB3652

33 предложений от 19 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 61 А, 0.014 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
FDB3652
Fujitsu-Siemens
29 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDB3652
ON Semiconductor
69 ₽
ЭИК
Россия
FDB3652
ON Semiconductor
от 267 ₽
Akcel
Весь мир
FDB3652
ON Semiconductor
от 637 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH 61 А 100 В, TO236AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652
October 2003
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 61A, 16m
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 61 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 14 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 61 А
  • Тип корпуса: TO-263
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet FDB3652 - Fairchild MOSFET, N CH 61 A 100 V, TO236AB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России