Datasheet FDB8441 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить FDB8441 на РадиоЛоцман.Цены — от 66 до 6 474 ₽ 21 предложений от 14 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 40В 80А 0.0025 Ом, 300Вт
Стандарт СИЗ Россия	FDB8441 Fujitsu-Siemens	66 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FDB8441 ON Semiconductor	69 ₽	Купить
Flash-Turtle Весь мир	FDB8441-F085 ON Semiconductor	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDB8441	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDB8441 N-Channel PowerTrench® MOSFET
August 2006
FDB8441
N-Channel PowerTrench® MOSFET
40V, 80A, 2.5m

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 28 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 1.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Альтернативный тип корпуса: TO-263
• Capacitance Ciss Typ: 15000 пФ
• Current Id Max: 28 А
• Fall Time tf: 17.9 нс
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: D2-PAK
• Pin Format: г, D, с
• Pulse Current Idm: 70 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 52 нс
• Rise Time: 24 нс
• SMD Marking: FDB8441
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть