Datasheet FDC6302P - Fairchild Даташит Полевой транзистор P CH сдвоенный 25 В 0.12 А SSOT6 — Даташит

Купить FDC6302P на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 2 668 ₽ 17 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6Pin SuperSOT T/R
Lixinc Electronics Весь мир	FDC6302P ON Semiconductor	от 19 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FDC6302P ON Semiconductor	81 ₽	Купить
Элитан Россия	FDC6302P ON Semiconductor	99 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FDC6302P ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор P CH сдвоенный 25 В 0.12 А SSOT6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
October 1997
FDC6302P Digital FET, Dual P-Channel
General Description
These Dual P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switchimg applications. Since bias resistors are not required this one P-Channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMBxA series.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -200 мА
• Drain Source Voltage Vds: -25 В
• On Resistance Rds(on): 10 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Рассеиваемая мощность: 900 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SSOT
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -120 мА
• Тип корпуса: SSOT
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -25 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть