Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet FDC638P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SUPERSOT-6 — Даташит

Fairchild FDC638P

Наименование модели: FDC638P

33 предложений от 21 поставщиков
ON SEMICONDUCTOR - FDC638P - MOSFET Transistor, P Channel, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -800 mV
Maybo
Весь мир
FDC638P
ON Semiconductor
52 ₽
Контест
Россия
FDC638P
по запросу
TradeElectronics
Россия
FDC638P_NBAD009
Fairchild
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
FDC638P IC
Fairchild
по запросу
Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SUPERSOT-6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDC638P
September 2001
FDC638P
P-Channel 2.5V PowerTrench® Specified MOSFET
General Description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 45 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
  • Voltage Vgs Max: -800 мВ
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SuperSOT
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: -4.5 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Тип корпуса: SuperSOT-6
  • Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
  • Pulse Current Idm: 20 А
  • SMD Marking: FDC638P
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
  • Uni / Bi Directional Polarity: P
  • Voltage Vds: 20 В
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
  • Voltage Vgs th Max: -1.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDC638P - Fairchild MOSFET, P, SUPERSOT-6

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка