Datasheet FDC638P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SUPERSOT-6 — Даташит
Наименование модели: FDC638P
![]() 33 предложений от 21 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - FDC638P - MOSFET Transistor, P Channel, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -800 mV | |||
FDC638P ON Semiconductor | 52 ₽ | ||
FDC638P | по запросу | ||
FDC638P_NBAD009 Fairchild | по запросу | ||
FDC638P IC Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P, SUPERSOT-6
Краткое содержание документа:
FDC638P
September 2001
FDC638P
P-Channel 2.5V PowerTrench® Specified MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
- Voltage Vgs Max: -800 мВ
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -4.5 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Тип корпуса: SuperSOT-6
- Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- SMD Marking: FDC638P
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
- Uni / Bi Directional Polarity: P
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1.5 В
RoHS: есть