Datasheet FDC645N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SUPERSOT-6 — Даташит
Наименование модели: FDC645N
![]() 46 предложений от 23 поставщиков MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6. N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOTTM-6. Transistors - FETs, MOSFETs - Single... | |||
FDC645N ON Semiconductor | 12 ₽ | ||
FDC645N ON Semiconductor | 55 ₽ | ||
FDC645N | по запросу | ||
FDC645N_F095 Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SUPERSOT-6
Краткое содержание документа:
FDC645N
April 2001
FDC645N
N-Channel PowerTrench MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 26 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SuperSOT
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 5.5 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Тип корпуса: SuperSOT-6
- Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
- Pulse Current Idm: 20 А
- SMD Marking: FDC645N
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
- Uni / Bi Directional Polarity: N
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2 В
RoHS: есть