Datasheet FDC653N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, SUPERSOT-6 — Даташит

Купить FDC653N на РадиоЛоцман.Цены — от 6.79 до 840 ₽ 34 предложений от 20 поставщиков Труба MOS, Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
727GS Весь мир	FDC653N ON Semiconductor	от 21 ₽	Купить
IC Home Весь мир	FDC653N ON Semiconductor	57 ₽	Купить
Контест Россия	FDC653N Fairchild	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FDC653N ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, SUPERSOT-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
November 1997
FDC653N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
This N-Channel enhancement mode power field effect transistors is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 35 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
• Корпус транзистора: SuperSOT
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 5 А
• Тип корпуса: SuperSOT-6
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1.7 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть