Datasheet FDC658P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SUPERSOT-6 — Даташит

Купить FDC658P на РадиоЛоцман.Цены — от 6.08 до 96 ₽ 43 предложений от 24 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 4 А, 0.041 Ом, SuperSOT, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	FDC658P-CUT TAPE Fairchild	17 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	FDC658P ON Semiconductor	от 19 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDC658P ON Semiconductor	от 74 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	FDC658P/IBM:29L0503 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SUPERSOT-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
February 1999
FDC658P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
General Description
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

These devices are well suited for notebook computer applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 50 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -1.7 В
• Корпус транзистора: SuperSOT
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -4 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Тип корпуса: SuperSOT-6
• Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• SMD Marking: FDC658P
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.7 В
• Uni / Bi Directional Polarity: P
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Max: -3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Panasonic - EYGA121807A