Datasheet FDD13AN06A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: FDD13AN06A0
![]() 39 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 50 А, 0.0115 Ом, TO-252AA, Surface Mount | |||
FDD13AN06A0-F085 Rochester Electronics | от 22 ₽ | ||
FDD13AN06A0-F085 Rochester Electronics | от 22 ₽ | ||
FDD13AN06A0-F085 ON Semiconductor | 63 ₽ | ||
FDD13AN06A0 ON Semiconductor | от 221 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, DPAK
Краткое содержание документа:
FDD13AN06A0
July 2003
FDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13.5m
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 13.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 115 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252AA
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 9.9 А
- Тип корпуса: TO-252AA
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть