Datasheet FDD13AN06A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, DPAK — Даташит

Купить FDD13AN06A0 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 235 ₽ 55 предложений от 25 поставщиков MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK. N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK. Transistors - FETs, MOSFETs -...
Lixinc Electronics Весь мир	FDD13AN06A0-F085 Rochester Electronics	48 ₽	Купить
Элитан Россия	FDD13AN06A0-F085 ON Semiconductor	117 ₽	Купить
Эиком Россия	FDD13AN06A0-F085	от 130 ₽	Купить
727GS Весь мир	FDD13AN06A0 ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDD13AN06A0
July 2003
FDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13.5m
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 50 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 13.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 115 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-252AA
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 9.9 А
• Тип корпуса: TO-252AA
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть