Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet FDFMA3N109 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, MLP6 — Даташит

Fairchild FDFMA3N109

Наименование модели: FDFMA3N109

18 предложений от 12 поставщиков
МОП-транзистор PowerTrench МОП-транзистор and Schottky Diode
FDFMA3N109
Fujitsu-Siemens
11 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDFMA3N109
Fairchild
40 ₽
ЭИК
Россия
FDFMA3N109
Fairchild
66 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
FDFMA3N109
Fairchild
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, MLP6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDFMA3N109 Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
May 2006
FDFMA3N109
Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
General Description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 123 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 1 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: MicroFET
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 2.9 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Тип корпуса: MLP-6
  • Pulse Current Idm: 10 А
  • SMD Marking: 109
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds: 30 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDFMA3N109 - Fairchild MOSFET, N, MLP6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России