Datasheet FDFMA3N109 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, MLP6 — Даташит
Наименование модели: FDFMA3N109
Купить FDFMA3N109 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 1 815 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков МОП-транзистор PowerTrench МОП-транзистор and Schottky Diode | |||
FDFMA3N109 Fujitsu-Siemens | 11 ₽ | ||
FDFMA3N109 Fairchild | 40 ₽ | ||
FDFMA3N109 Fairchild | 66 ₽ | ||
FDFMA3N109 Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, MLP6
Краткое содержание документа:
FDFMA3N109 Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
May 2006
FDFMA3N109
Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 123 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 1 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MicroFET
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 2.9 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тип корпуса: MLP-6
- Pulse Current Idm: 10 А
- SMD Marking: 109
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть