Datasheet FDG6320C - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SMD, 6-SC-70 — Даташит

Купить FDG6320C на РадиоЛоцман.Цены — от 7.32 до 251 ₽ 18 предложений от 17 поставщиков Mosfet Array 25V 220mA, 140mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Maybo Весь мир	FDG6320C ON Semiconductor	204 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	FDG6320C_D87Z Fairchild	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FDG6320C-NL ON Semiconductor	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	FDG6320C	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SMD, 6-SC-70

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
November 1998
FDG6320C Dual N & P Channel Digital FET
General Description
These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 220 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 4 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Корпус транзистора: SC-70
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 220 мА
• Тип корпуса: SC-70
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 850 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть