Datasheet FDMS3572 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, MLP — Даташит

Купить FDMS3572 на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 9 161 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 22А; 78Вт; WDFN8
AiPCBA Весь мир	FDMS3572 ON Semiconductor	46 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FDMS3572 ON Semiconductor	47 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDMS3572 Fairchild	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	FDMS3572 ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, MLP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMS3572 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET
February 2007
FDMS3572 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET
80V, 22A, 16.5m Features General Description
Max rDS(on) = 16.5m at VGS = 10V, ID = 8.8A Max rDS(on) = 24m at VGS = 6V, ID = 8.4A Typ Qg = 28nC at VGS = 10V Low Miller Charge Optimized efficiency at high frequencies RoHS Compliant

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 16.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.2 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Power 56
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 8.8 А
• Тип корпуса: Power 56
• Pulse Current Idm: 50 А
• SMD Marking: FDMS3572
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 80 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть