Datasheet FDMS5672 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, MLP — Даташит

Купить FDMS5672 на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 382 ₽ 23 предложений от 14 поставщиков МОП-транзистор 60V N-ChUltraFET PowerTrench МОП-транзистор
AllElco Electronics Весь мир	FDMS5672 ON Semiconductor	от 48 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FDMS5672/BKN Fairchild	123 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FDMS5672 ON Semiconductor	161 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FDMS5672 ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, MLP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET
December 2007
FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET
60V, 22A, 11.5m Features General Description
UItraFET devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications.

Optimized for rDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for high frequency DC to DC converters. Max rDS(on) = 11.5m at VGS = 10V, ID = 10.6A Max rDS(on) = 16.5m at VGS = 6V, ID = 8A Typ Qg = 32nC at VGS = 10V Low Miller Charge Optimized efficiency at high frequencies RoHS Compliant

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 11.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.2 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: Power 56
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 10.6 А
• Тип корпуса: Power 56
• Pulse Current Idm: 60 А
• SMD Marking: FDMS5672
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 3.2 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть