Datasheet FDP75N08A - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: FDP75N08A
Купить FDP75N08A на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 7 644 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 47А; Idm: 300А; 137Вт; TO220 | |||
FDP6676 FDP7030L FDP7030BL FDP7042L FDP7045L FDP75N08A FDP7N50 FDP7N60NZ FDP79N15 FDP8N50NZ FDP80N06 fdp80220 до 30l220 | 32 ₽ | ||
FDP75N08A Fujitsu-Siemens | 43 ₽ | ||
FDP75N08A ON Semiconductor | 112 ₽ | ||
FDP75N08A | 7 644 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
FDP75N08A 75V N-Channel MOSFET
July 2006
UniFET
FDP75N08A
75V N-Channel MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 75 А
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On Resistance Rds(on): 11 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
- Capacitance Ciss Typ: 3437 пФ
- Current Id Max: 75 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.91°C/W
- On State Resistance Max: 11 МОм
- On State Resistance Typ: 9.4 МОм
- Тип корпуса: TO-220
- Pin Configuration: G(1), D(2)S(3)
- Power Dissipation Pd: 137 Вт
- Pulse Current Idm: 300 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 75 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5