Datasheet FDS6680AS - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, SO-8 — Даташит

Купить FDS6680AS на РадиоЛоцман.Цены — от 8.70 до 973 ₽ 64 предложений от 32 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 11.5 А, 0.01 Ом, SOIC, Surface Mount
727GS Весь мир	FDS6680A	от 8.70 ₽	Купить
ЭИК Россия	FDS6680A ON Semiconductor	от 89 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	FDS6680AS ON Semiconductor	от 125 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	FDS6680A-NBBI007A Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS6680AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFETTM
May 2008
FDS6680AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFETTM
General Description
The FDS6680AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies.

This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6680AS includes an integrated Schottky diode using Fairchild's monolithic SyncFET technology. The performance of the FDS6680AS as the low-side switch in a synchronous rectifier is indistinguishable from the performance of the FDS6680 in parallel with a Schottky diode.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 10 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 11.5 А
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Pulse Current Idm: 50 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть