LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet FDS6681Z - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P — Даташит

Fairchild FDS6681Z

Наименование модели: FDS6681Z

35 предложений от 18 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 20 А, 0.0038 Ом, SOIC, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
FDS6681Z
Youtai
35 ₽
Элитан
Россия
FDS6681Z
65 ₽
FDS6681Z
ON Semiconductor
от 255 ₽
TradeElectronics
Россия
FDS6681Z_NF40
Fairchild
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS6681Z
June 2005
FDS6681Z
30 Volt P-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 20 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 3.8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: -20 А
  • Тип корпуса: SOIC-8
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: -1.8 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDS6681Z - Fairchild MOSFET, P

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России