Datasheet FDS6699S - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, SO-8 — Даташит

Купить FDS6699S на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 268 ₽ 26 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8
ЧипСити Россия	FDS6699S ON Semiconductor	36 ₽	Купить
Элитан Россия	FDS6699S ON Semiconductor	119 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FDS6699S ON Semiconductor	от 240 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDS6699S ON Semiconductor	от 268 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS6699S 30V N-Channel PowerTrench® SyncFETTM
January 2005
FDS6699S 30V N-Channel PowerTrench® SyncFETTM
Features
21 A, 30 V Max RDS(ON) = 3.6 m @ VGS = 10 V Max RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V Includes SyncFET Schottky body diode High performance trench technology for extremely low RDS(ON) and fast switching High power and current handling capability 100% RG (Gate Resistance) tested

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 21 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 3.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 21 А
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Pulse Current Idm: 106 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть