Datasheet FDS6961A - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 3.5 А, 8SOIC — Даташит

Купить FDS6961A на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 1 377 ₽ 35 предложений от 23 поставщиков Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; 2Вт; SO8
Maybo Весь мир	FDS6961A ON Semiconductor	14 ₽	Купить
727GS Весь мир	FDS6961A	от 19 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	FDS6961A2 Fairchild	по запросу	Купить
МосЧип Россия	FDS6961A, Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 3.5 А, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
April 1999
FDS6961A Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
General Description Features
3.5 A, 30 V.

RDS(ON) = 0.090 @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.140 @ VGS = 4.5 V. Fast switching speed. Low gate charge (2.1nC typical). High performance trench technology for extremely low RDS(ON). High power and current handling capability.
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 90 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 3.5 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1.8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть