Datasheet FDS8858CZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SMD, SO-8 — Даташит

Купить FDS8858CZ на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 1 976 ₽ 41 предложений от 20 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 8.6 А, 0.017 Ом, SOIC, Surface Mount
Триема Россия	FDS8858CZ ON Semiconductor	50 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FDS8858CZ ON Semiconductor	от 67 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDS8858CZ ON Semiconductor	от 69 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FDS8858CZ ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SMD, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS8858CZ Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET
May 2009
FDS8858CZ
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET
N-Channel: 30V, 8.6A, 17.0m P-Channel: -30V, -7.3A, 20.5m

Спецификации:

• Cont Current Id N Channel 2: 8.6 А
• Cont Current Id P Channel: 7.3 А
• Continuous Drain Current Id: 8.6 А
• Current Id Max: 8.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 17 МОм
• On State Resistance N Channel Max: 17 МОм
• On State Resistance P Channel Max: 20.5 МОм
• Pulse Current Idm N Channel 2: 20 А
• Pulse Current Idm P Channel: 20 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1.6 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 8
• Количество транзисторов: 2
• Корпус транзистора: SOIC
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: SOIC
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)