Datasheet FDS8880 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 11.6 А, 8SOIC — Даташит

Купить FDS8880 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.80 до 192 ₽ 59 предложений от 30 поставщиков MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC. N-Channel 30V 11.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Microfind Россия	FDS8880 Fairchild	14 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	FDS8880 ON Semiconductor	от 22 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	FDS8880 ON Semiconductor	от 64 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDS8880 ON Semiconductor	от 68 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 11.6 А, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS8880 N-Channel PowerTrench® MOSFET
April 2007
FDS8880 N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 11.6A, 10m Features
rDS(on) = 10m, VGS = 10V, ID = 11.6A rDS(on) = 12m, VGS = 4.5V, ID = 10.7A High performance trench technology for extremely low rDS(on) Low gate charge High power and current handling capability RoHS Compliant

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 10 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 11.6 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 2.5 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть