Datasheet FDS8928A - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SMD, 8-SOIC — Даташит

Купить FDS8928A на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 389 ₽ 23 предложений от 19 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 5.5 А, 0.025 Ом, SOIC, Surface Mount
Кремний Россия и страны СНГ	FDS8928A_NL Fairchild	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	FDS8928A_Q Fairchild	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	FDS8928A_NL Fairchild	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FDS8928A-NL Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SMD, 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
July 1998
FDS8928A Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These dual N- and P -Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 670 мВ
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 5.5 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 670 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть