Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet FDT458P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P — Даташит

Fairchild FDT458P

Наименование модели: FDT458P

44 предложений от 21 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 3.4 А, 0.105 Ом, SOT-223, Surface Mount
FDT458P
Fujitsu-Siemens
8.41 ₽
Элитан
Россия
FDT458P
ON Semiconductor
20 ₽
FDT458P
ON Semiconductor
от 21 ₽
ЭИК
Россия
FDT458P
ON Semiconductor
от 68 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDT458P
June 2001
FDT458P
30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 105 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Рассеиваемая мощность: 3 Вт
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 3.4 А
  • Тип корпуса: SOT-223
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: -1.8 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet FDT458P - Fairchild MOSFET, P

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России