Datasheet FDV302P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, цифровой, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: FDV302P
Купить FDV302P на РадиоЛоцман.Цены — от 0.94 до 136 ₽ 48 предложений от 26 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -25В; -0,12А; 0,35Вт; SOT23 | |||
FDV302P Fairchild | 0.94 ₽ | ||
FDV302P ON Semiconductor | 3.86 ₽ | ||
FDV302P ON Semiconductor | от 41 ₽ | ||
FDV302P Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P, цифровой, SOT-23
Краткое содержание документа:
October 1997
FDV302P Digital FET, P-Channel
General Description
This P-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.
This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one P-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors such as the DTCx and DCDx series.
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 120 мА
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 13 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7 В
- Voltage Vgs Max: -1 В
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 120 мА
- Current Temperature: 25°C
- ESD HBM: 6 кВ
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 350 мВт
- Pulse Current Idm: 500 мА
- SMD Marking: 302P
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Voltage Vds Typ: -25 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1.5 В
RoHS: есть