Datasheet FDV302P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, цифровой, SOT-23 — Даташит

Купить FDV302P на РадиоЛоцман.Цены — от 3.29 до 167 ₽ 40 предложений от 26 поставщиков Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт
Lixinc Electronics Весь мир	FDV302P Rochester Electronics	от 3.95 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FDV302P ON Semiconductor	36 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FDV302P_D87Z ON Semiconductor	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDV302P Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, цифровой, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
October 1997
FDV302P Digital FET, P-Channel
General Description
This P-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one P-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors such as the DTCx and DCDx series.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 120 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 13 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7 В
• Voltage Vgs Max: -1 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 120 мА
• Current Temperature: 25°C
• ESD HBM: 6 кВ
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 350 мВт
• Pulse Current Idm: 500 мА
• SMD Marking: 302P
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds Typ: -25 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
• Voltage Vgs th Max: -1.5 В

RoHS: есть